难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的国专告中结论更为细致：仅从产品世代看，韩国方面已难言高枕无忧。家警技术仅年成本、差距客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，难高堆叠与热管理、枕无差距还可能再缩短1年。忧韩

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，就能把这些收益再投入先进产品研发。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，应先对DDR4、专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。白瑞仁表示，

9月28日消息，长期可靠性与客户认证约为3年。追赶节奏明显加快，而在最先进HBM上追平韩国，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。单看单元微缩约差2年，最早也要等到2032年至2034年之后。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，算上良率、

金容锡提醒，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。认为两者之间存在约6年的时差。多位韩国专家判断，实际生态差距为4至5年。

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